VBE1606
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流97 A
导通电阻12 mΩ
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技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流97 A
导通电阻12 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 97A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |