VBE1307
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流80 A
导通电阻6 mΩ
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技术参数
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流80 A
导通电阻6 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |