VBA5104N
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；6.3/-5.2A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。
全部替代型号
查看完整报告已收录 3 个替代型号，登录后查看。
SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；6.3/-5.2A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。
已收录 3 个替代型号，登录后查看。