XDS(芯鼎盛)中国

TX40N06B

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻25 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻25 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
其他
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,38.8A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21
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