TMC(台懋)中国

TM2012A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,20V,10A,12mΩ@4.5v

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流10 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流10 A
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)10A
其他
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)2.25W

技术资料

数据手册数据手册 · 12.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21
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