类型NPN
集射极耐压350 V
集电极电流1 A
放大倍数 hFE30
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技术参数
类型NPN
集射极耐压350 V
集电极电流1 A最大
放大倍数 hFE30300mA
功率40 W最大
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Power - Max | 40 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
| 交流 / 直流特性 | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| 其他 | |
| Mfr | Central Semiconductor Corp |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
器件图片
技术资料
数据手册数据手册 · 213.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 213.1 KB · 2026-09-21质量与可靠性质量与可靠性 · 2.1 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 1.2 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 731.1 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 273.3 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 235.6 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 224.2 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 105.0 KB · 2026-09-22变更与勘误变更与勘误 · 77.3 KB · 2026-09-22
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