JSMSEMI(杰盛微)中国

TF21814M-TR-JSM

栅极驱动器

驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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驱动配置半桥
峰值输出电流4 A

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技术参数

驱动配置半桥
峰值输出电流4 A最大
电源
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)4A
其他
负载类型MOSFET；IGBT
驱动配置半桥

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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