TC7SZ00FU,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage日本

TC7SZ00FU,LJ(CT

在产门和反相器USV

IC GATE NAND 1CH 2-INP USV

TC7SZ00FU,LJ(CT 是一款 CMOS 2输入与非门，工作电压 1.65-5.5V，传播延迟典型 2.4ns，采用 USV 封装，符合 AEC-Q100 标准。规格书核对

问 AI FAE数据手册 PDF
逻辑类型NAND
单元数1
输入数2
供电电压1.65 ~ 5.5 V

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

逻辑类型NAND
单元数1
输入数2
供电电压1.65 ~ 5.5 V
传播延迟4.3 ns最大 · 5V

规格书核对参数

22 项
参数值和测试条件出处
逻辑类型2-Input NAND Gate
单元数1
输入数2
供电电压1.65 to 5.5 V
传播延迟2.4 ns (typ.) at VCC = 5.0 V, CL = 50 pF
封装USV
工作温度-40 to 125 °C
等级AEC-Q100 (Rev. H)
高电平输入电压VCC × 0.75 (Min) for VCC = 2.3 to 5.5 V
低电平输入电压VCC × 0.25 (Max) for VCC = 2.3 to 5.5 V
高电平输出电压2.3 V (Min) at VCC = 3.0 V, IOH = -24 mA
低电平输出电压0.55 V (Max) at VCC = 3.0 V, IOL = 24 mA
输入漏电流±1.0 μA (Max) at VIN = 5.5 V or GND, VCC = 0 to 5.5 V
静态电源电流2 μA (Max) at VIN = VCC or GND, VCC = 5.5 V
电源电压 (绝对最大)-0.5 to 6.0 V
输入电压 (绝对最大)-0.5 to 6.0 V
直流输出电流 (绝对最大)±50 mA
功耗 (绝对最大)200 mW
存储温度-65 to 150 °C
输入上升和下降时间0 to 5 ns/V at VCC = 5.0 ± 0.5 V
5.5V 耐受输入Yes
5.5V 掉电保护输出Yes
全部参数（19 项）展开收起
电源
Current - Output High, Low32mA, 32mA
Current - Quiescent (Max)2 µA
Voltage - Supply1.8V ~ 5.5V
交流 / 直流特性
Max Propagation Delay @ V, Max CL4.3ns @ 5V, 50pF
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C~85°C
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Supplier Device Package5-SSOP
其他
Base Product Number7SZ00
Features-
Input Logic Level - High-
Input Logic Level - Low-
Logic TypeNAND Gate
MfrToshiba Semiconductor and Storage
Number of Circuits1
Number of Inputs2
Product StatusActive
SeriesTC7SZ

引脚与封装

Pin Assignment (Top view)
Pin Assignment (Top view)
封装：USV
脚位名称功能出处
1INB (输入B)
2INA (输入A)
3GND(地)
4OUTY (输出Y)
5VCC(电源)

器件图片

TC7SZ00FU,LJ(CT实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 131.0 KB · 2026-11-03
进入资料中心

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。