TBD62003AFWG(Z,EHZ
晶体管 - FET，MOSFET - 单7路驱动器，新产品，用场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳，
耐压50 V
连续漏极电流500 mA
导通电阻3.25 Ω
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耐压50 V
连续漏极电流500 mA
导通电阻3.25 Ω最大 · 5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.25Ω@5V,350mA |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |