TBC847B,LM

TBC847B,LM

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管SOT-23-3

TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

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类型NPN
集射极耐压50 V
集电极电流150 mA
放大倍数 hFE200

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技术参数

类型NPN
集射极耐压50 V
集电极电流150 mA最大
放大倍数 hFE2002mA
功率320 mW最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)30nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)150 mA
Power - Max320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition100MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
其他
Base Product NumberTBC847
MfrToshiba Semiconductor and Storage
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 100mA, 5mA

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技术资料