JJW(捷捷微)中国

T850H10E

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技术参数

电源
di/dt-通态电流上升率NA/us
IGT-直流门极触发电流50mA
ITRMS-通态电流有效值8A
ITRM-可重复浪涌峰值电流80A
VDRM-断态可重复峰值电压1000V
环境与封装
封装类型1TO263
最大工作温度150°C
其他
引脚数量13

技术资料

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