STY100NM60N

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-247-3

MOSFET N CH 600V 98A MAX247

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流98 A
导通电阻29 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流98 A
导通电阻29 mΩ最大 · 49A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)625W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageMAX247™
其他
Base Product NumberSTY100
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 50 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 49A, 10V
SeriesMDmesh™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

技术资料

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