STW3N170

在产单 FET,MOSFETTO-247-3

MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3

沟道N 沟道
耐压1.7 kV
连续漏极电流2.6 A
导通电阻13 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1.7 kV
连续漏极电流2.6 A
导通电阻13 Ω最大 · 1.3A
阈值电压5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)160mW
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3
其他
Base Product NumberSTW3N170
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs13Ohm @ 1.3A, 10V
SeriesPowerMESH™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

技术资料