STW20N65M5-HXY
单 FET，MOSFET该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。碳化硅材料带来的高热导率和低开关损耗特性，使其适用于高频、高效率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的功率开关环节。
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。碳化硅材料带来的高热导率和低开关损耗特性，使其适用于高频、高效率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的功率开关环节。