STS8DNF3LL-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流7.2 A
导通电阻16 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流7.2 A
导通电阻16 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,8A |
| 数量 | 2个N沟道 |