STS8DN3LLH5-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；13.5A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
导通电阻10 mΩ
阈值电压3 V
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沟道N 沟道
耐压30 V
导通电阻10 mΩ最大 · 10V
阈值电压3 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |