HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通时可有效减少功率损耗；反向漏电流（IR）在额定条件下最大为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流、续流及高频开关电路中。