JSMSEMI(杰盛微)中国

STP60NE06-16-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流110 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流110 A
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)110A
其他
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)358W

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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