STP30N20

STP30N20

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220

MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB

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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流30 A
导通电阻75 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流30 A
导通电阻75 mΩ最大 · 15A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
其他
Base Product NumberSTP30N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1597 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 15A, 10V
SeriesSTripFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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