MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流64 A
导通电阻9 mΩ
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技术参数
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流64 A
导通电阻9 mΩ最大 · 7.5A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) |
| 其他 | |
| Base Product Number | STL58 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 7.5A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +22V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
器件图片
技术资料
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