STD11NM60ND-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单NMOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于各种电源和功率控制应用。TO252；N—Channel沟道,650V；9A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~4V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流9 A
导通电阻500 mΩ
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流9 A
导通电阻500 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |