STC5NF20V-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N+NMOSFET，采用Trench技术制造，适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。TSSOP8；2个N—Channel沟道,20V；6.6A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流6.6 A
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沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流6.6 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A |
| 其他 | |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 640mW |