HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源中的续流路径以及信号检波等对效率和响应速度有要求的电子电路中。