HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通时保持相对较低的损耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。典型应用包括开关电源整流、直流-直流转换器中的续流路径以及极性保护电路等。