HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、高频开关电路及信号解调等对效率和响应速度有要求的场合。