HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）为200V。在正常导通状态下，其正向压降（VF）为1.2V，反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过100μA。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。此类配置适用于需要双通道同步整流或箝位功能的高频电源电路，有助于简化布局并提升系统整体效率。