全部替代型号
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技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 10A |
| VDSS-最大漏源电压 | 650V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 3.4V |
| 交流 / 直流特性 | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 650mΩ |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO220 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| Vgs-栅源耐压 | 30V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
技术资料
该型号暂未收录资料。
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| 电源 | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 10A |
| VDSS-最大漏源电压 | 650V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 3.4V |
| 交流 / 直流特性 | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 650mΩ |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO220 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 其他 | |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| Vgs-栅源耐压 | 30V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
该型号暂未收录资料。