SALLTECH(萨瑞)中国

SR4800Q

晶体管 - FET，MOSFET - 单

双N沟道,电流:6.9A,耐压:30V

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耐压30 V
连续漏极电流6.9 A
导通电阻50 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流6.9 A
导通电阻50 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.9A
其他
导通电阻(RDS(on))50mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W

技术资料

数据手册数据手册 · 775.6 KB · 2026-09-21
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