SPP4435WS8RGB-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流9 A
导通电阻24 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流9 A
导通电阻24 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |