JSMSEMI(杰盛微)中国

SPP2303W-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻78 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻78 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
其他
导通电阻(RDS(on))78mΩ@2.5V,2.5A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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