SP30N01LGNP
晶体管 - FET，MOSFET - 单大电流SGT MOSFET产品，175℃结温，N沟道，耐压：30V，电流：210A，RDSON：0.95mR
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流210 A
导通电阻950 µΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流210 A
导通电阻950 µΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 210A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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