Siliup(矽普)中国

SP120N65CTO

单 FET，MOSFET

碳化硅MOSFET产品，N沟道，耐压：650V，100℃电流：120A，RDOSN：10mR

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流172 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流172 A
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)172A
其他
数量1个N沟道
类型N沟道

技术资料

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