SP100N65CTK

单 FET,MOSFET

碳化硅MOSFET产品,N沟道,耐压:650V,100℃电流:100A,RDSON:10mR

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流150 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流150 A
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)150A
其他
数量1个N沟道
类型N沟道

技术资料

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