中低压SGT MOSFET产品,P沟道,耐压:-100V,电流:-50A,RDSON:16mR

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流50 A
导通电阻16 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流50 A
导通电阻16 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

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