MOSFET,P-channel 20V/12V 4.1A VGS(th)=0.7V 46mΩ@4.1A&4.5V,SOT-23

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻52 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻52 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
其他
导通电阻(RDS(on))52mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料