GOODWORK(固得沃克)中国

SI2305

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻65 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻65 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)4.1A
其他
导通电阻(RDS(on))65mΩ@2.5V,3A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 3.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 953.3 KB · 2026-09-21
进入资料中心