SINO-IC(光宇睿芯)中国

SE2301

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道增强型MOSFET,电流:-2.8A,耐压:-20V

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.8 A
导通电阻150 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.8 A
导通电阻150 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
其他
导通电阻(RDS(on))150mΩ@2.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 779.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 517.3 KB · 2026-09-21
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