HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款碳化硅二极管具有40安培的正向电流（IF/A），能够在高达1200伏特（VR/V）的反向电压下正常工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在大电流通过时能量损耗较小。在反向电压作用下，漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示出良好的阻断特性。瞬态条件下，此二极管能承受最高达130安培（IFSM/A）的峰值电流，适用于需要高效率能量转换的应用中，如高性能电源供应器或便携式电子产品充电管理等场合。