HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

此款碳化硅二极管设计有20A的正向电流(IF)，并能承受650V的反向电压(VR)，使其在高压环境下表现稳定。该二极管拥有1.3V的较低正向压降(VF)，有助于降低能耗。反向漏电流(IR)控制在40微安，显示了其优异的阻断特性。同时，它具备150A的峰值瞬态电流(IFSM)，能够在需要快速处理电流峰值的应用中发挥关键作用，适合用于需要高效能转换及保护电路的设计中。