FM(富满)中国

SC8205S

晶体管 - FET，MOSFET - 单

双N沟道, 共漏极。20V,6A,25mΩ@10V

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沟道N 沟道
耐压20 V
导通电阻25 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
导通电阻25 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)20V
其他
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,5A
数量2个N沟道
耗散功率(Pd)2W

技术资料

数据手册数据手册 · 649.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 648.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 291.5 KB · 2026-09-21
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