DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

查看国产替代问 AI FAE
反向耐压1 kV
平均整流电流12 A
正向压降1.1 V
类型标准

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

反向耐压1 kV
平均整流电流12 A
正向压降1.1 V最大 · 12 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)12A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 12 A
环境与封装
Mounting TypeChassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction-65°C~175°C
PackageBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device PackageDO-4
其他
Capacitance @ Vr, F-
Diode TypeStandard
MfrGeneSiC Semiconductor
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

技术资料

该型号暂未收录资料。