RZR025P01TL-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单欢迎选购RZR025P01 P沟道MOS管，采用高效能SOT-23封装，适用于各类精密电子设备。本器件具有出色的电气性能，工作电压高达VDSS20V，连续电流容量高达ID4.2A，低至48mΩ的导通电阻，确保了卓越的能源转换效率与稳定的电路控制能力。无论是电源管理还是信号切换应用，它都能提供出色的稳定性和耐用性，是您设计项目中的理想选择。
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻75 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻75 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |