RSQ045N03TR-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有小型封装和低功耗特性，采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.5 A
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.5 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |