Rectron USA中国台湾

RMP0A5N6092

单 FET,MOSFET
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技术参数

电源
ID-最大漏极电流0.4A
VDSS-最大漏源电压600V
环境与封装
封装类型1TO92
其他
Ciss-输入等效电容130pF
Pd-功率耗散2.5W
Qg-栅极电荷3.5nC
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13

技术资料

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