RM2A3P60S4
Rectron USA中国台湾

RM2A3P60S4

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-223-3

MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT223-3

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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流2.3 A
导通电阻180 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流2.3 A
导通电阻180 mΩ最大 · 2A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackageSOT-223-3
其他
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 15 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

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