RM1002
Rectron USA中国台湾

MOSFET N-CHANNEL 100V 2A SOT23

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻220 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2 A
导通电阻220 mΩ最大 · 1A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)1.1W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 50 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。