RHK003N06T146

RHK003N06T146

在产单 FET,MOSFETSOT-23

此场效应管为N型,电流0.3A,适用于低功率场景。电压60V,可在特定电路环境中稳定运行。内阻典型值1000mR,能量损耗较高。VGS为20V。在消费电子领域,可用于小型电子设备的电流调控。

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连续漏极电流300 mA

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技术参数

连续漏极电流300 mA
环境与封装
封装SOT-23
其他
ID0.3A
RDON1000mR
TYPEN沟道
VDSS60V
VGS20V

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