RGTH80TS65GC13-HXY
IGBT单管及模块（未细分）该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。
该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。