RGTH00TS65GC11-HXY
IGBT单管及模块（未细分）本产品为高性能IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的优良参数表现。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V。适用于需要高效能功率转换与稳定电气特性的多样化场景，提供可靠的技术支持和运行稳定性。
本产品为高性能IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的优良参数表现。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V。适用于需要高效能功率转换与稳定电气特性的多样化场景，提供可靠的技术支持和运行稳定性。