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RFL1N15L

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压150 V
导通电阻4.6 Ω
阈值电压2 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
导通电阻4.6 Ω最大 · 5V
阈值电压2 V最大 · 2mA
电源
漏源电压(Vdss)150V
阈值电压(Vgs(th))2V@2mA
其他
导通电阻(RDS(on))4.6Ω@5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 895.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 708.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 167.6 KB · 2026-09-21
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